钨掺杂M1相VO₂单晶薄膜照片：

其他资料延伸：

目前常用的方法就是利用W、Nb、Ti、Cr、Al、Mg等原子掺杂来降低其相变温度到室温附近，虽然通过上述掺杂能够有效的将VO₂的MIT临界相变温度大大降低，遗憾的是使得VO₂原先所具有的陡峭的MIT和突变的光学特性减弱甚至是消失，有时候甚至会丧失了其作为功能材料的实际用途。

比较有代表性的就是W掺杂，它使得VO₂的MIT临界温度急剧变化【如图1(a)所示】，甚至能使转变温度调控到室温。W掺杂VO₂的MIT转变机理：根据W的4d芯能级的光电子能谱，掺杂W的化学态仅为W⁶⁺价态，在满足系统的电中性的条件下，这就意味着一个W⁶⁺的掺杂相当于增加了两个V³⁺(3d²)离子，减少了一个V⁴⁺(3d¹)离子，这将会导致V⁴⁺离子的半填充3d¹电子构型崩溃。利用硬X-ray光电子能谱研究本征VO₂和W掺杂VO₂的价带谱，可以发现W掺杂后VO₂的临界转变温度的降低来自于有效库仑排斥能U_eff的调制作用【如图1(b)】所示)，少量W掺杂使得载流子的增加显著地改变了有效库仑排斥能的强度，导致金属状态的稳定，降低了金属—绝缘体转变温度。

图1. (a) VO₂和V_1?xW_xO₂薄膜电阻率随温度的变化曲线，图中的小图显示了临界转变温度和W掺杂浓度的关系；(b)VO₂的MIT临界转变温度和有效的库仑相互作用的关系。

最近，H原子的掺杂为VO₂的MIT调控及其转变机理研究注入了新的活力，出现了很多新现象如：超顺磁性产生以及室温大磁电阻的出现，绝缘-金属-绝缘的三阶段连续相变。H掺杂为VO₂的动态可逆调控相变提供了新的思路，并为其在基于质子型Mott电子学和新型储氢材料开辟了新的潜在应用领域。