碳化硅衬底的应用

光电子领域

发光二极管（LED）是利用半导体中电子与空穴复合发光的一种电子元器件，是一种节能环保的冷光源。SiC材料具有与GaN晶格失配小、热导率高、器件尺寸小、抗静电能力强、可靠性高等优点是GaN系外延材料的理想衬底，由于其良好的热导率，解决了功率型GaN-LED器件的散热问题，特别适合制备大功率的半导体照明用LED，这样大大提高了出光效率，又能有效的降低能耗。

电力电子领域

以SiC为代表的第三代半导体具有禁带宽、热导率高，击穿场强高，饱和电子漂移速率高，化学性能稳定，硬度高，抗磨损，高键和高能量以及抗辐射等优点，可广泛用于制造高温，高频，高功率，抗辐射，大功率和高密集集成电子器件，用SiC衬底开发的电力电子器件（SBD、MOSFET、IGBT、BJT、JFET等）用在输变电、风力发电、太阳能、混合动力汽车等电力电子领域，降低电力损失，减少发热量，高温工作，提高效率，增加可靠性。

碳化硅衬底参数信息：

碳化硅衬底照片：

4H-N碳化硅晶片：

6H-N碳化硅晶片：

6H-Si碳化硅晶片：

4英寸高纯半绝缘SiC衬底：

6英寸高纯半绝缘SiC衬底：

4英寸N型导电SiC衬底：

6英寸N型导电SiC衬底：

X射线摇摆曲线：

电阻率分布图谱

其他信息：

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