4英寸单晶锗衬底:
锗片是制作半导体器件,红外光学器件的材料。对固体物理和固体电子学的发展起到重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3,锗可能性划归稀散金属,锗化学性质稳定,常温下不与空气或水蒸汽作用,但在600~700 ℃时,很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时,锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中,锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱,但熔融的碱在空气中,能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用,所以在石墨坩埚中熔化,不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质,如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。
衬底照片:
衬底参数信息:
样品名称 | 编号 | 货号 | 参数 | 零售价 | |
单晶锗衬底 Ge | MK1341 | 100982 | 4英寸 | 尺寸:4英寸 导电类型:P型 厚度:175±10 μm 晶向:<100> 单面抛光 | 询价 |
2英寸 | 尺寸:2英寸 导电类型:N型 电阻率:0.3-1 Ω·cm 厚度:375-425 μm 晶向:<100> 双面抛光 | 询价 | |||
4英寸 | 尺寸:4英寸 导电类型:N型 电阻率:2-4 Ω·cm 厚度:400 μm 晶向:<100> 双面抛光 | 询价 |
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