氧化锌(ZnO)单晶是一种具有半导体、发光、压电、电光等应用的多功能晶体材料。它具有纤锌矿结构，室温下禁带宽度为3.4eV，激子结合能高达60MeV，其发光波长比GaN的蓝光波长还要短，可以进一步提高光存储的密度,因此利用ZnO做成的激光器在提高光存储方面的有重大的应用前景。

氧化锌的带边发射在紫外区，非常适宜作为白光LED的激发光源材料，凸显了ZnO在半导体照明工程中的重要地位，并且与SiC、GaN等其它的宽带隙材料相比，ZnO具有资源丰富、价格低廉、高的化学和热稳定性，更好的抗辐照损伤能力，适合做长寿命器件等多方面的优势。此外，ZnO与GaN的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是GaN晶体生长最理想的衬底材料。

氧化锌是一致熔融化合物,熔点为1975 ℃。由于高温下ZnO的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得ZnO体单晶。目前,ZnO体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。采用水热法，可以从KOH和LiOH混合水溶液中生长ZnO晶体。晶体呈浅绿色或浅黄色，完整性较好，但尺寸还不够大，难以满足工业应用的需求。

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