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碳纳米笼
货号:100931 编号:MK130X
CAS号: 规格:
包装:防尘包装 保质期:6个月+
保存条件:室温真空密封
请选择规格参数
以下是SiO2/Si衬底的照片:
4英寸氧化硅片
6英寸氧化硅片:
氧化层厚度和SiO2/Si颜色对照表
以下图片为公司IC百级超净室内实拍,所有硅片加工、分装均在IC超净室内进行,保证产品质量,因为专业所以质优!
氧化硅片样品参数信息
常见的各种氧化工艺
热氧化法-将硅片置于高温下,通以氧化的气氛,使硅表面一薄层的硅转变为二氧化硅的方法。
常见的热氧化工艺类别及特点:
1、干氧氧化:
干氧氧化法-氧化气氛为干燥、纯净的氧气。氧化膜致密、针孔密度小、适合光刻、质量最好,但氧化速度最慢,成本最高。
2、水汽氧化:
水汽氧化法-氧化气氛为纯净的水汽。氧化速度最快,但氧化膜疏松,针孔密度大,质量最差,光刻容易浮胶。
3、湿氧氧化:
湿氧氧化法-氧化气氛为纯净的氧气+纯净的氢气。氧化膜质量和氧化速度均介于干氧氧化和水汽氧化之间,质量也介于二者之间。
三种热氧化方式,干氧氧化的氧化层质量最好,成本最高;我司的硅片氧化层500nm以下采用纯干氧氧化,氧化层品质绝佳,绝缘性非常好,且采用我司独创新型专利氧化工艺技术,氧化层中缺陷与电荷最少,同时硅片的价格优惠,期待与广大新老客户合作双赢;(如500nm以下客户要求采用湿氧氧化也可以)
SiO2-Si衬底CVD-MoS2,WS2生长实例:
CVD-WS2
CVD-MoS2单层连续薄膜:
CVD-三角形MoS2
产品信息:
产品名称 (单抛光) | 商品编码 | 货号 | 尺寸 | P或N型 | 氧化层厚度 |
氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1301 | 100931 | 4英寸 | P型/N型 | 50 |
氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1302 | 100932 | 4英寸 | P型/N型 | 80 |
氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1303 | 100933 | 4英寸 | P型/N型 | 100 |
氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1304 | 100934 | 4英寸 | P型/N型 | 200 |
氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1305 | 100935 | 4英寸 | P型/N型 | 300 |
氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1306 | 100936 | 4英寸 | P型/N型 | 500 |
氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1307 | 100937 | 4英寸 | P型/N型 | 1000 |
氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1308 | 100938 | 4英寸 | P型/N型 | 2000 |
氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1309 | 100939 | 4英寸 | P型/N型 | 3000 |
其他参数:6/8英寸现货供应
其他信息:
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