以下是SiO₂/Si衬底的照片：

4英寸氧化硅片

6英寸氧化硅片：

氧化层厚度和SiO₂/Si颜色对照表

以下图片为公司IC百级超净室内实拍，所有硅片加工、分装均在IC超净室内进行，保证产品质量，因为专业所以质优！

氧化硅片样品参数信息

常见的各种氧化工艺 

热氧化法-将硅片置于高温下，通以氧化的气氛，使硅表面一薄层的硅转变为二氧化硅的方法。 

常见的热氧化工艺类别及特点： 

 1、干氧氧化： 

干氧氧化法-氧化气氛为干燥、纯净的氧气。氧化膜致密、针孔密度小、适合光刻、质量最好，但氧化速度最慢，成本最高。   

2、水汽氧化：

水汽氧化法-氧化气氛为纯净的水汽。氧化速度最快，但氧化膜疏松，针孔密度大，质量最差，光刻容易浮胶。

 3、湿氧氧化： 

湿氧氧化法-氧化气氛为纯净的氧气+纯净的氢气。氧化膜质量和氧化速度均介于干氧氧化和水汽氧化之间，质量也介于二者之间。

三种热氧化方式，干氧氧化的氧化层质量最好，成本最高；我司的硅片氧化层500nm以下采用纯干氧氧化，氧化层品质绝佳，绝缘性非常好，且采用我司独创新型专利氧化工艺技术，氧化层中缺陷与电荷最少，同时硅片的价格优惠，期待与广大新老客户合作双赢；（如500nm以下客户要求采用湿氧氧化也可以）

SiO2-Si衬底CVD-MoS2，WS2生长实例：

CVD-WS2

CVD-MoS2单层连续薄膜:

CVD-三角形MoS2

产品信息：

其他参数：6/8英寸现货供应

其他信息：

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