背景介绍：

目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法（CVD），前两种方法效率低，不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。

石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用，但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。

牧科纳米技术团队经过长时间的技术攻关，不用昂贵的金属基体，在常见的铜衬底，以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压CVD法，成功制备出了100μm到几个毫米级六边形单晶石墨烯及其构成的石墨烯薄膜。而且可以转移到任意衬底上，方便取用。

该方法转移的单晶石墨烯具有很高的质量，将其转移到Si/SiO2基体上制成场效应晶体管，测量显示该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达7100cm² V^-1s^-1。

常见的铜基体上生长大尺寸单晶石墨烯及其薄膜技术的突破，为石墨烯基本物性的研究及其在高性能纳电子器件、透明导电薄膜等领域的实际应用奠定了材料基础。

石墨烯单晶表征数据：

200 μm级别石墨烯单晶在铜衬底上的光学显微镜照片：

拉曼光谱：

 200μm级别硅基产品规格：