N型硒化镓晶体-GaSe-2D-N型硒化镓晶体-GaSe-南京牧科纳米科技有限公司

N型硒化镓晶体-GaSe-2D

货号：100928 编号：MK10928

CAS号：12024-11-2 规格：

包装：原包装进口保质期：3个月+

保存条件：室温密封保存

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碳纳米笼

货号：100928 编号：MK10928

CAS号：12024-11-2 规格：

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n-type GaSe

Our n-type GaSe crystals are grown using Bridgman growth technique and the crystal were doped to n-type using Sn atoms at around 1E18cm-3 range. N-type GaSe crystals exhibit highly layered characteristics and are ideal for exfoliation, device fabrication, optics, and other optoelectronics related experiments.

The physical properties of n-type GaSe crystals

Sample size	Around 5mm in size
Properties	Direct gap semiconductor
Exfoliation characteristics	Very easy
Production method	Bridgman growth technique (Sn dopant)

其他服务：

公司可以提供免费的机械剥离和转移技术。