| 样品名称 | 进口磷化锗晶体 (GeP) |
| 性质 | 半导体 晶体结构：Monoclinic结构 单层带隙： ~1.68eV 块体带隙： ~0.51 eV |
| 晶胞常数 | a = 1.519 nm, b = 0.368 nm, c = 0.918 nm, α = γ = 90°, β = 101.560° |
| 样品参数 | 纯度: 高纯 尺寸:~ 3 mm 颜色: 金属光泽晶体 |
| 应用 | 半导体电子器件，光学器件等研究 |
| 其他信息 | 详情请发邮件至：mknano@126.com |
XRD:
EDX:
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