货号 |
编号 |
参数 |
库存 |
价格 |
100940 |
MK1310 |
4英寸-电阻率大于2000-10片起订-单片价格 |
100 |
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100940 |
MK1310 |
4英寸-电阻率大于5000-10片起订-单片价格 |
100 |
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100940 |
MK1310 |
4英寸-电阻率大于10000-10片起订-单片价格 |
100 |
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100940 |
MK1310 |
4英寸-电阻率大于20000-10片起订-单片价格 |
100 |
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以下是SiO2/本征Si衬底的照片:
氧化层厚度和SiO2/Si颜色对照表
以下图片为公司IC百级超净室内实拍,所有硅片加工、分装均在IC超净室内进行,保证产品质量,因为专业所以质优!
氧化层本征硅片参数:
常见的各种氧化工艺 热氧化法-将硅片置于高温下,通以氧化的气氛,使硅表面一薄层的硅转变为二氧化硅的方法。 常见的热氧化工艺类别及特点: 1、干氧氧化: 干氧氧化法-氧化气氛为干燥、纯净的氧气。氧化膜致密、针孔密度小、适合光刻、质量很好,但氧化速度很慢,成本较高。 2、水汽氧化: 水汽氧化法-氧化气氛为纯净的水汽。氧化速度非常快,但氧化膜疏松,针孔密度大,质量最差,光刻容易浮胶。 3、湿氧氧化: 湿氧氧化法-氧化气氛为纯净的氧气+纯净的氢气。氧化膜质量和氧化速度均介于干氧氧化和水汽氧化之间,质量也介于二者之间。 三种热氧化方式,干氧氧化的氧化层质量非常好,成本较高;我司的硅片氧化层500nm以下采用纯干氧氧化,氧化层品质优异,绝缘性非常好,且采用我司独创新型专利氧化工艺技术,氧化层中缺陷与电荷最少,同时硅片的价格优惠,期待与广大新老客户合作双赢;(如500nm以下客户要求采用湿氧氧化也可以)
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