货号 |
编号 |
参数 |
库存 |
价格 |
100931 |
MK130X |
4英寸-5片(单片价格)-单抛,双氧 |
120 |
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100931 |
MK130X |
4英寸-10片(单片价格)-单抛,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
4英寸-25片(单片价格)-单抛,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
4英寸-50片(单片价格)-单抛,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
4英寸-100片(单片价格)-单抛,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
4英寸-5片(单片价格)-单抛,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
4英寸-10片(单片价格)-单抛,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
4英寸-25片(单片价格)-单抛,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
4英寸-50片(单片价格)-单抛,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
4英寸-100片(单片价格)-单抛,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
6英寸-25片(单片价格)-单抛光,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
6英寸-50片(单片价格)-单抛光,双氧 |
100 |
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100931 |
MK130X |
6英寸-25片(单片价格)-单抛光,双氧-切割 |
100 |
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以下是SiO2/Si衬底的照片: 4英寸氧化硅片 6英寸氧化硅片:
氧化层厚度和SiO2/Si颜色对照表 以下图片为公司IC百级超净室内实拍,所有硅片加工、分装均在IC超净室内进行,保证产品质量,因为专业所以质优! 氧化硅片样品参数信息
常见的各种氧化工艺 热氧化法-将硅片置于高温下,通以氧化的气氛,使硅表面一薄层的硅转变为二氧化硅的方法。 常见的热氧化工艺类别及特点: 1、干氧氧化: 干氧氧化法-氧化气氛为干燥、纯净的氧气。氧化膜致密、针孔密度小、适合光刻、质量最好,但氧化速度最慢,成本最高。 2、水汽氧化: 水汽氧化法-氧化气氛为纯净的水汽。氧化速度最快,但氧化膜疏松,针孔密度大,质量最差,光刻容易浮胶。 3、湿氧氧化: 湿氧氧化法-氧化气氛为纯净的氧气+纯净的氢气。氧化膜质量和氧化速度均介于干氧氧化和水汽氧化之间,质量也介于二者之间。 三种热氧化方式,干氧氧化的氧化层质量最好,成本最高;我司的硅片氧化层500nm以下采用纯干氧氧化,氧化层品质绝佳,绝缘性非常好,且采用我司独创新型专利氧化工艺技术,氧化层中缺陷与电荷最少,同时硅片的价格优惠,期待与广大新老客户合作双赢;(如500nm以下客户要求采用湿氧氧化也可以)
SiO2-Si衬底CVD-MoS2,WS2生长实例: CVD-WS2
CVD-MoS2单层连续薄膜:
CVD-三角形MoS2
产品信息: 产品名称 (单抛光) | 商品编码 | 货号 | 尺寸 | P或N型 | 氧化层厚度 | 氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1301 | 100931 | 4英寸 | P型/N型 | 50 | 氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1302 | 100932 | 4英寸 | P型/N型 | 80 | 氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1303 | 100933 | 4英寸 | P型/N型 | 100 | 氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1304 | 100934 | 4英寸 | P型/N型 | 200 | 氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1305 | 100935 | 4英寸 | P型/N型 | 300 | 氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1306 | 100936 | 4英寸 | P型/N型 | 500 | 氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1307 | 100937 | 4英寸 | P型/N型 | 1000 | 氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1308 | 100938 | 4英寸 | P型/N型 | 2000 | 氧化硅片SiO2硅片 单抛光 | MK1309 | 100939 | 4英寸 | P型/N型 | 3000 |
其他参数:6/8英寸现货供应 其他信息: 询问
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