进口二维半导体单晶>氮化碳晶体g-C3N4
 
g-C3N4氮化碳晶体
 
货号: 1008802 规格: 见详情
CAS号: 760210-60-4 保质期:
编号: MK10802 保存条件:
包装: 原包装进口
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货号 编号 参数 库存 价格

 样品名称 g-C3N4氮化碳晶体
 性质 直接带隙半导体(2.7 eV)
带隙 待实验确定
 参数

 尺寸:粉末状晶体 (数十微米)

颜色:黄色晶体

 应用 半导体电子器件,传感器-探测器,非线性光学,STM-AFM实验,光学器件等研究
 其他信息

 详情请发邮件至:mknano@126.com.

  g-C3N4氮化碳晶体照片:


Properties of g-C3N4 materials:


Structure of C3N4 materials:


Product Description

Graphitic carbon nitride (g-C3N4) has been one of the most attractive materials in the field owing to its unique electronic structure. It exhibits 2.7 eV and ideal band alignment to oxidization and reduction energy levels for hydrogen evolution reactions and catalytic sciences. Our products has an excellent thermal and chemical stability in ambient environment, with negligible amount of point defects. Many of its properties in the monolayer form is awaiting to be discovered by researchers. This product comes in crystalline powder form which means that individual crystals measure from 10s microns down to ~100 nm in lateral sizes in layered form. This product is highly crystallized; Amorphous products have been filtered and separated by spin-filtration, mass-separation, and agitation processes to bring you 99.9% crystallized g-C3N4 materials.

其他服务:


公司客户可以提供晶体免费机械剥离和转移技术


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