进口二维半导体单晶>硒化铊TlSe晶体
 
硒化铊晶体TlSe
 
货号: 100861 规格:
CAS号: 保质期: 密封保存6个月+
编号: MK1061 保存条件: 真空密封保存
包装: 原包装进口,真空包装
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货号 编号 参数 库存 价格
100861 MK1061 尺 寸 : ~4mm 100 登录查看

 样品名称 硒化铊TLSe晶体
  性质 ~0.7 eV
  带隙 待实验确定
  参数

 纯度:高纯

尺寸:~8mm其他尺寸可定制

颜色:黑色

    应用 半导体电子器件,传感器-探测器,非线性光学,STM-AFM实验,光学器件等研究
 其他信息

 详情请发邮件至:mknano@126.com.

合成TlSe晶体照片:


Product Description

In the bulk form (TlSe), Thalium selenide, has band-gap at around 0.7 eV and display strong photoluminescence. Similar to molybdenum disulfide, it has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers. Each monolayer is four atoms thick (Se-Tl-Tl-Se) that is roughly 0.9-1.0 nm. In the literature, monolayer TlSe is currently under-studied, yet to be discovered. Raman peaks are sharp and strong indicating high crystallinity.   Our crystals are grown by state-of-the-art growth techniques after 8 weeks and show high crystallinity. The size of the samples is typically around ~4mm in size. TlSe has a layered structure with weak interlayer coupling. Single crystal TlSe comes ready for exfoliation and is ideal for 2D research.


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