进口二维半导体单晶>硒化铟单晶InSe
 
硒化铟晶体-InSe
 
货号: 100842 规格:
CAS号: 保质期: 密封保存6个月+
编号: MK1042 保存条件: 真空密封保存
包装: 原包装进口,真空包装
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100842 MK1042 ~ 1cm 100 登录查看
样品名称 合成硒化铟晶体-InSe
性质 半导体
 晶体结构  γ-Rhombohedral semiconductor
带隙 InSe带隙:~1.22 eV
 参数

尺寸:~1cm纯度高纯

 应用 半导体电子器件,光学器件等研究
 其他信息

 详情请发邮件至:mknano@126.com.

合成InSe晶体照片:

QQ图片20200427103712.png


Product Description

InSe (indium selenide) is the first commercially available InSe layered materials in the field. Our single crystal InSe crystals come with guaranteed optical, electronic, and structural anisotropy. They are developed at our facilities using three different state-of-art techniques: i) Bridgman growth, ii) flux zone growth, and iii) chemical vapor transport (CVT) growth. The latter (CVT) produces contaminated samples. Flux zone technique is suitable for good crystallization but crystal sizes are limited to ~5mm. In contrast, Brigmann method offers good crystallinity as well as large size (larger than 1cm). Each crystal is highly crystalline, oriented in 0001 direction, and easy to exfoliate. Our R&D staff takes characterization dataset in each sample piece to ensure structural, optical, and electronic consistency. 

InSe晶体参数和性质


InSe样品PL光谱:

Raman:

InSe_Raman__33554.png

XRD:

InSe_XRD__67386.png


 其他服务:


  另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术


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