进口二维半导体单晶>硒化亚锡单晶SnSe
 
硒化亚锡晶体-SnSe
 
货号: 100841 规格:
CAS号: 保质期: 密封保存6个月+
编号: MK1041 保存条件: 真空密封保存
包装: 原包装进口,真空包装
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100841 MK1041 ~ 1 cm 100 登录查看
 样品名称

 进口硒化亚锡单晶

SnSe

 性质半导体
 带隙0.9 eV-1.25 eV 
 参数 尺寸:~1cm, 纯度高纯
 应用 半导体电子器件,传感器-探测器,光学器件等研究
 其他性质

 详情请发邮件至:mknano@126.com.

 合成SnSe晶体照片:

    

Product Description

In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers. Each monolayer is four atoms thick (Se-Sn-Sn-Se) that is roughly 0.9-1.0 nm. At high pressures it undergo semiconductor to superconductor transition. More recently, SnSe has been shown to display world record performance for thermoelectric material efficiency.

SnSe single crystal characteristics


XRD:

SnSe_XRD__69466.png

Raman:


其他服务:


  公司客户可以提供晶体免费机械剥离和转移技术


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