样品名称
半导体(块体带隙~0.3 eV;单层~1.5 eV)
晶体结构:Orthorhombic C
纯度:高纯
横向尺寸: ~10 mm,厚度:~1 mm
半导体电子器件,光学器件,FET器件研究、
各向异性运输和光电,等研究
详情请发邮件至:mknano@126.com。
合成黑磷晶体照片:
单晶X射线衍射数据:
EDX:
Raman:
其他服务:
公司客户可以提供晶体免费机械剥离和转移技术。
服务时间:周一至周日 08:30 — 20:00 全国订购及服务热线:025-66171690 18052095282联系地址:南京市麒麟科技创新园康园路20号南京空间大数据产业基地B栋 苏ICP备15025922号-1
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