样品名称
性质
半导体材料
带隙
单层带隙1.66 eV
结构：Hexagonal
参数
纯度：高纯
尺寸：~10 mm
颜色：黑色
晶型：hexagonal
晶胞常数：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120°
应用
半导体电子器件，光学器件等研究
其他信息
详情请发邮件至：mknano@126.com.
合成WSe2晶体照片：
样品实拍：
XRD:
EDX:
Raman:
其他服务：
公司客户可以提供晶体免费机械剥离和转移技术。
服务时间：周一至周日 08:30 — 20:00 全国订购及服务热线：025-66171690 18052095282联系地址：南京市麒麟科技创新园康园路20号南京空间大数据产业基地B栋 苏ICP备15025922号-1
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