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铟镓硒晶体-InGaSe2-2D
 
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编号: MK10933 保存条件: 室温密封保存
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100933 MK10933 尺寸: ~5 mm 100 登录查看

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InGaSe2__06694.jpg

InGaSe2

    InGaSe2 is a new infrared (IR) grade semiconductor with vdW layered structure. Theoretical studies suggest narrow (0.5 eV) bandgap value while the experimental investigations still remain limited to date. Our InGaSe2 vdW crystals were synthesized using chemical vapor transport technique (CVT) at 99.999% or higher purity values. The materials are highly crystallized and exhibit high optical and electronic performance. Typical crystals measure 4-6mm in size. 

The properties of InGaSe2 vdW crystals 

Sample sizeNearly 0.5cm in size or a few pieces adding to cm 
Material propertiesIR semiconductors
Crystal structureTetragonal vdW I4/mcm structure
Degree of exfoliationEasy to exfoliate
Production methodMulti-step Bridgman and oxygen compensation process
Other characteristics
  • Electronic and optical grade
  • Excellent stability in air 
  • High crystallinity

其他服务:

  公司可以提供免费的机械剥离和转移技术


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